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≪ 表面処理 ≫
ワット浴
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静止 |
AISL（アイスル） |
環境調和型高密着シード層形成無電解めっきプロセス
プリント基板や電子部品では高周波・高密度化に伴い、低誘電絶縁材料や導体回路表面の平滑化が求められています。通常、樹脂への無電解めっきでは、クロム酸や過マンガン酸で表面を粗化処理することで密着を得ていますが、ギガヘルツ帯域の高速伝送では導体回路表面が凹凸であると信号遅延を生ずる為、平滑表面で高密着が得られるプロセスが望まれています。
（株）関東学院大学表面工学研究所の技術協力により完成したこの『AISL（アイスル）プロセス』は、UV照射による表面改質とホルマリンフリーの無電解めっき処理により、平滑樹脂面への高密着シード層形成を実現した環境調和型めっきプロセスです。
（株）関東学院大学表面工学研究所の技術協力により完成したこの『AISL（アイスル）プロセス』は、UV照射による表面改質とホルマリンフリーの無電解めっき処理により、平滑樹脂面への高密着シード層形成を実現した環境調和型めっきプロセスです。
特徴
- クロム酸や過マンガン酸等のエッチングを使用せずＵＶ照射による表面改質を行なう為、素材表面の平滑性は維持されます。
- 還元剤に有害なホルマリンを使用しない、次亜リン酸タイプの無電解銅ニッケルリンめっきです。
- 平滑面へのめっきプロセスであるため回路の導体損失は低減でき、ファイン回路を形成が容易になります。またエッチング残渣が残りにくく、耐マイグレーション性も良好です。
- 平滑表面でもブリスターの発生が無く高密着皮膜が得られます。
- めっき液は弱アルカリ性である為、素材への影響を抑えられます。
- めっき液の安定性に優れ管理が容易です。
- Niシード層と比較し、エッチング性が良好でシード層除去が容易です。
URL
一般的な処理工程（素材の種類により異なります）
無電解メッキ種による各樹脂材料(UV照射処理)のピール強度
密着処理のイメージ図
